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　　NB-IoT標準基于半雙工設計，因此，在RF前端不需要配置雙工器，簡化射頻前端設計復雜度。若功率放大器(Power Amplifier，PA)可實現(xiàn)CMOS工藝，也可以考慮將PA集成進SoC，進一步降低上行信號發(fā)射時所產(chǎn)生的功耗損耗。

　　NB-IoT實際上吸取了短距離無線通信的一些設計理念，在保持適當靈活性的前提下，盡可能把設計做得簡潔，如必須支持控制面(Control Plance,CP)模式等，因而可以認為介于傳統(tǒng)蜂窩通信和短距離無線通信技術的中間狀態(tài)。下面簡單介紹這個狀態(tài)的影響。

• 混合自動重傳請求(Hybrid Automatic Repeat reQuest,HARQ)的緩沖區(qū)會比短距離無線通信等要大一點，但是比傳統(tǒng)LTE系統(tǒng)小很多(只支持單進程HARQ，TBS很小)
• 通信的協(xié)議棧會大一點。和短距離無線通信技術相比，NB-IoT的存儲器需求更多。

　　傳統(tǒng)的LTE通信芯片架構是基帶+RF+Flash+SDRAM+PA，比較符合異常復雜的通信芯片架構。基帶采用最先進的工藝，尺寸盡可能做小，性能盡可能高;RF有多模多頻的要求，使用單獨的裸芯片制作會更加容易一些，由于協(xié)議棧較大及物理層HARQ需要的緩沖區(qū)，必須標配SDRAM。

　　對于低功耗無線通信芯片，基本架構是Soc集成RF+Flash+RA，比較符合低成本的物聯(lián)網(wǎng)通信架構。芯片總體復雜度不高，高集成度對功耗和成本都是有利的。