NB-IoT標(biāo)準(zhǔn)基于半雙工設(shè)計(jì)，因此，在RF前端不需要配置雙工器，簡化射頻前端設(shè)計(jì)復(fù)雜度。若功率放大器(Power Amplifier，PA)可以實(shí)現(xiàn)CMOS工藝，也可以考慮將PA集成進(jìn)SoC，進(jìn)一步降低上行信號發(fā)射時(shí)所產(chǎn)生的功耗損耗。
NB-IoT實(shí)際上吸取了短距離無線通信的一些設(shè)計(jì)理念，在保持適當(dāng)靈活性的前提下，盡可能把設(shè)計(jì)做得簡潔，如必須支持控制面(Control Plane，CP)模式等，因而可以認(rèn)為介于傳統(tǒng)蜂窩通信和短距離無線通信技術(shù)的中間狀態(tài)。下面簡單介紹這個(gè)狀態(tài)的影響。
混合自動(dòng)重傳請求(Hybrid Auto Repeat reQuest，HARQ)的緩沖區(qū)回會(huì)比距離無線通信等要大一點(diǎn)，但是比傳統(tǒng)LTE系統(tǒng)小很多(只支持單進(jìn)程HARQ，TBS很小)
通信的協(xié)議棧會(huì)大一點(diǎn)。和短距離無線通信技術(shù)相比，NB-IoT的存儲器需求更多。
傳統(tǒng)的LTE通信芯片架構(gòu)是基帶+RF+Flash+SDRAM+PA，比較符合異常復(fù)雜的通信芯片架構(gòu)。基帶采用最先進(jìn)的工藝，尺寸盡可能做小，性能盡可能高;RF有多模多頻的需求，使用單獨(dú)的裸芯片制作會(huì)更加容易一些，由于協(xié)議棧較大及物理層HARQ需要的緩沖區(qū)，必須標(biāo)配SDRAM。
對于低功耗無線通信芯片，基本架構(gòu)是SoC集成RF+Flash+PA，比較符合低成本的物聯(lián)網(wǎng)通信架構(gòu)。芯片總體復(fù)雜度不高，高集成度對功耗和成本都是有力的。
備-20241218163843.jpg)
品-20241216191417.jpg)
邊導(dǎo)航小人(4)-20241213094735.png)
